مقایسه انتقال شبه بالستیک با نفوذ - رانش در ترانزیستورهای نانومتری
ترانزیستورها با اثر میدان / مواد نانوساختار
با توجه به افزایش حجم اطلاعات و نیاز به سرعت بیشتر، طراحی ترانزیستورهایی با فرکانس کاری بالا اجتنابناپذیر است. یکی از راهکارهای افزایش سرعت در ترانزیستورهای اثر میدان، کاهش ابعاد و طول مؤثر کانال است. علاوه بر این، کاهش ابعاد ترانزیستورها باعث کوچکتر شدن مدارهای مجتمع شده و کارایی قطعات افزایش مییابد. در اثر پیش رو انتقال شبه بالستیک با نفوذ- رانش در ترانزیستورهای نانومتری مقایسه شده است.